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产品展示

首页 - 产品展示 - 驱动系列(行驱动P-MOS管)

名称:TC4953ES 11V P 沟道增强型双 MOS 场效应管

2024-04-25

特点

先进的 CMOS 工艺技术 

更强的 ESD 保护,HBM>6kV 

更低的开启电压,Vgs(th)=-0.6V

FM-TC4953ES_00.jpgFM-TC4953ES_01.jpgFM-TC4953ES_02.jpg



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