9435 20V P 沟道增加型 MOS 场效应管-深圳市波尔泰电子有限公司

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2024-05-16

VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-2.7A = 68mΩ@TYP RDS(ON),

Vgs@-4.5V, Ids@-2.7A = 88mΩ@TYP

特点

 高级的加工技术

 极低的导通电阻高密度的单元设计

 改良的成型工艺

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