9926 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管-深圳市波尔泰电子有限公司

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2024-05-17

RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ RDS(ON),

Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ RDS(ON),

Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ RDS(ON),

Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ RDS(ON),

Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ

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