3401L P 沟道增强型 MOS 场效应管-深圳市波尔泰电子有限公司

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2024-05-16

RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 40mΩ@TYP RDS(ON),

Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 55mΩ@TYP

特点

 高级的加工技术

 极低的导通电阻高密度的单元设计

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