3080K N通道沟槽电源MOSFET-深圳市波尔泰电子有限公司

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2024-05-17

特点

30 V，80ARDS（ON）

=3.8mΩ（分型）。@ VGS =10V  RDS (ON)

=6.5mΩ (Typ.)@ VGS

=4.5V先进的沟槽技术提供优秀的RDS（ON）

和低门电荷应用负载开关PWM应用

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