FM5113 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路-深圳市波尔泰电子有限公司

2024-05-21

概述

FM5113 是一款高精度的单节内置 MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。

正常状态下，FM5113 的 VDD 端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时 FM5113 使内置 N-MOS 管导通。

这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。 FM5113 通过检测 VDD 或 VM 端电压（相对于 GND 端）来进行过充/放电保护。

当充/放电保护条件发生时，内置 N-MOS 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。

FM5113 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢复条件满足以后，内置 N-MOS 由截止变为导通，从而进入正常状态。

FM5113 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。

FM5113 工作时功耗非常低，采用非常小的 DFN2*2DD-6L 的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池应用。

特性

 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路

 内置低导通内阻 N-MOSFET

 过充电保护电压检测 4.275V 精度±25mV

 过放电保护电压检测 2.800V 精度±80mV

 过电流充电保护检测 -0.025V 精度±10mV

 过电流放电保护检测 0.025V 精度±10mV

 电池短路保护

 有 0V 充电  低功耗工作电流:

 工作电流 1.4uA（典型值）

 过放电消耗电流 0.1uA（最大值）

 休眠电流 0.1uA（最大值）

 超小型化的 DFN2*2DD-6L

 MOSFET:RSS(on)<80mΩ(VGS=3.7V,ID=1.0A)

产品应用

 锂电池的充电、放电保护电路