TC5097B 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路-深圳市波尔泰电子有限公司

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名称：TC5097B 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路

2024-05-21

概述

TC5097B 电路是一款高精度的单节内置 MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充放电保护等性能于一身。正常状态下，TC5097B 的 VDD 端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时 TC5097B 使内置 N-MOS 管导通。

这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。

TC5097B 通过检测 VDD 或 VM 端电压（相对于 GND 端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时，内置 N-MOS 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。

TC5097B 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢复条件满足以后，内置 N-MOS 由截止变为导通，从而进入正常状态。

TC5097B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进行相应的保护/恢复。

如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。

TC5097B 工作时功耗非常低，采用非常小的 DFN6L(2*2*0.5)的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。

本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品，另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。

特性

 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路

 内置低导通内阻 N-MOSFET

 高精度的过充电保护电压检测 4.30V±50mV

 高精度的过放保护电压检测 2.8V±75mV

 高精度过电流放电保护检测

 电池短路保护

 有 0V 充电

 带有过充、过放自动恢复功能

 低功耗工作电流 3uA 休眠电流 0.01uA

 超小型化的 DFN6L(2×2×0.5)

 MOSFET:RSS(on)<72mΩ(VGS=3.7V,ID=1A)

产品应用

 锂电池的充电、放电保护电路

 电话机电池或其它锂电池高精度保护器

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